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| Numero di parte | GB10SLT12-220 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 10A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 1200V |
| Capacità @ Vr, F | 520pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-220-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
fabbricante: GeneSiC Semiconductor
Descrizione: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A
Disponibile: 0
fabbricante: GeneSiC Semiconductor
Descrizione: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC
Disponibile: 0
fabbricante: GeneSiC Semiconductor
Descrizione: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D
Disponibile: 195
fabbricante: GeneSiC Semiconductor
Descrizione: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
Disponibile: 0
