Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Diodi - Raddrizzatori - Singoli BAS21E6433HTMA1

Infineon Technologies BAS21E6433HTMA1

Numero di parte
BAS21E6433HTMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte BAS21E6433HTMA1
Stato parte Last Time Buy
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Corrente - Rettificato medio (Io) 250mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 200mA
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 100nA @ 200V
Capacità @ Vr, F 5pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT23-3
Temperatura operativa - Giunzione 150°C (Max)
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