Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Array BCM846SE6327HTSA1

Infineon Technologies BCM846SE6327HTSA1

Numero di parte
BCM846SE6327HTSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
TRANS 2NPN 65V 0.1A SOT363
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Numero di parte BCM846SE6327HTSA1
Stato parte Obsolete
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Corrente - Limite del collettore (max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Potenza - Max 250mW
Frequenza - Transizione 250MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT363-6
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Disponibile: 3000

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BCM846SE6327HTSA1

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