Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati BCR08PNB6327XT

Infineon Technologies BCR08PNB6327XT

Numero di parte
BCR08PNB6327XT
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Numero di parte BCR08PNB6327XT
Stato parte Discontinued at Digi-Key
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 2.2k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 47k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) -
Frequenza - Transizione 170MHz
Potenza - Max 250mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT363-6
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