Numero di parte | BCR119SE6433HTMA1 |
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Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistore - Base (R1) (Ohm) | 4.7k |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT363-6 |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
Disponibile: 0