Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati BCR133SH6327XTSA1

Infineon Technologies BCR133SH6327XTSA1

Numero di parte
BCR133SH6327XTSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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In stock 30000 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.03478/pcs
  • 3,000 pcs

    0.03478/pcs
  • 6,000 pcs

    0.03024/pcs
  • 15,000 pcs

    0.02570/pcs
  • 30,000 pcs

    0.02419/pcs
  • 75,000 pcs

    0.02268/pcs
Totale:0.03478/pcs Unit Price:
0.03478/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte BCR133SH6327XTSA1
Stato parte Last Time Buy
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 10k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) -
Frequenza - Transizione 130MHz
Potenza - Max 250mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT363-6
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