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| Numero di parte | BCR191WE6327HTSA1 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistore - Base (R1) (Ohm) | 22k |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) | 22k |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenza - Transizione | 200MHz |
| Potenza - Max | 250mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT323-3 |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
Disponibile: 0
