Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli BCV47E6433HTMA1

Infineon Technologies BCV47E6433HTMA1

Numero di parte
BCV47E6433HTMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT-23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Numero di parte BCV47E6433HTMA1
Stato parte Last Time Buy
Transistor Type NPN - Darlington
Corrente - Collector (Ic) (Max) 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100µA, 100mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10000 @ 100mA, 5V
Potenza - Max 360mW
Frequenza - Transizione 170MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT23-3
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