Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli BCW67BE6327HTSA1

Infineon Technologies BCW67BE6327HTSA1

Numero di parte
BCW67BE6327HTSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
TRANS PNP 32V 0.8A SOT-23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Parametro del prodotto
Numero di parte BCW67BE6327HTSA1
Stato parte Last Time Buy
Transistor Type PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 32V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Corrente - Limite del collettore (max) 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1V
Potenza - Max 330mW
Frequenza - Transizione 200MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT23-3
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fabbricante: Infineon Technologies

Descrizione: TRANS PNP 32V 0.8A SOT-23

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