Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF BFP840ESDH6327XTSA1

Infineon Technologies BFP840ESDH6327XTSA1

Numero di parte
BFP840ESDH6327XTSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
IC TRANSISTOR RF NPN SOT343-4
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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In stock 7500 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.08207/pcs
  • 3,000 pcs

    0.08207/pcs
  • 6,000 pcs

    0.07678/pcs
  • 15,000 pcs

    0.07149/pcs
  • 30,000 pcs

    0.06778/pcs
  • 75,000 pcs

    0.06619/pcs
Totale:0.08207/pcs Unit Price:
0.08207/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte BFP840ESDH6327XTSA1
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2.25V
Frequenza - Transizione 80GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 0.85dB @ 5.5GHz
Guadagno 18.5dB
Potenza - Max 75mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 10mA, 1.8V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 35mA
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-82A, SOT-343
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-343
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fabbricante: Infineon Technologies

Descrizione: IC TRANSISTOR RF NPN SOT343-4

Disponibile: 3000

RFQ 0.08207/pcs