Infineon Technologies BSD235CH6327XTSA1

Numero di parte: BSD235CH6327XTSA1
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Array

Infineon Technologies

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Numero di parte	BSD235CH6327XTSA1
Stato parte	Active
Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	950mA, 530mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 1.6µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.34nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	47pF @ 10V
Potenza - Max	500mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT363-6