Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array BSO150N03MD G

Infineon Technologies BSO150N03MD G

Numero di parte
BSO150N03MD G
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte BSO150N03MD G
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 15V
Potenza - Max 1.4W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore PG-DSO-8
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fabbricante: Infineon Technologies

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Disponibile: 0

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Disponibile: 2500

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