Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli BSS670S2L

Infineon Technologies BSS670S2L

Numero di parte
BSS670S2L
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Numero di parte BSS670S2L
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 540mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 2.7µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.26nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 270mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT23-3
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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