Infineon Technologies BSZ0909NDXTMA1

Numero di parte: BSZ0909NDXTMA1
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8WISON
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Array

Infineon Technologies

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Numero di parte	BSZ0909NDXTMA1
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	360pF @ 15V
Potenza - Max	17W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-WISON-8