Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Singoli IGW50N60TPXKSA1

Infineon Technologies IGW50N60TPXKSA1

Numero di parte
IGW50N60TPXKSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
IGBT 600V 80A 319.2W TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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In stock 440 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    2.10000/pcs
  • 10 pcs

    2.04200/pcs
  • 100 pcs

    1.67290/pcs
  • 500 pcs

    1.42412/pcs
  • 1,000 pcs

    1.20107/pcs
Totale:2.10000/pcs Unit Price:
2.10000/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IGW50N60TPXKSA1
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 80A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 50A
Potenza - Max 319.2W
Cambiare energia 1.53mJ (on), 850µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 249nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 20ns/215ns
Condizione di test 400V, 50A, 7 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO247-3
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