Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Singoli IKD06N60RFATMA1

Infineon Technologies IKD06N60RFATMA1

Numero di parte
IKD06N60RFATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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In stock 6250 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.28673/pcs
  • 2,500 pcs

    0.31061/pcs
  • 5,000 pcs

    0.29582/pcs
Totale:0.28673/pcs Unit Price:
0.28673/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IKD06N60RFATMA1
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 12A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 18A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 6A
Potenza - Max 100W
Cambiare energia 90µJ (on), 90µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 48nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 7ns/106ns
Condizione di test 400V, 6A, 23 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 48ns
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO252-3
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Disponibile: 2500

RFQ 0.28673/pcs