Infineon Technologies IPB015N04L G

Numero di parte: IPB015N04L G
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Infineon Technologies

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Numero di parte	IPB015N04L G
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	346nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	28000pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB