Infineon Technologies IPW60R045CP

Numero di parte: IPW60R045CP
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Infineon Technologies

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In stock 9602 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
7.75000/pcs
10 pcs
7.38200/pcs
100 pcs
6.27460/pcs

Totale:7.75000/pcs

Unit Price:

7.75000/pcs

Etichetta del prezzo:

Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	IPW60R045CP
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	190nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6800pF @ 100V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	431W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 44A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO247-3
Pacchetto / caso	TO-247-3