Infineon Technologies IRF9952TRPBF

Numero di parte: IRF9952TRPBF
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Array

Infineon Technologies

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Numero di parte	IRF9952TRPBF
Stato parte	Active
Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.5A, 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	190pF @ 15V
Potenza - Max	2W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO