Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IRFI4227PBF

Infineon Technologies IRFI4227PBF

Numero di parte
IRFI4227PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 200V 26A TO-220FP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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In stock 735 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    1.43000/pcs
  • 10 pcs

    1.35850/pcs
  • 100 pcs

    1.09150/pcs
  • 500 pcs

    0.84893/pcs
  • 1,000 pcs

    0.70339/pcs
Totale:1.43000/pcs Unit Price:
1.43000/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IRFI4227PBF
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4600pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 17A, 10V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Full-Pak
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack
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