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| Numero di parte | IRFP260MPBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 234nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4057pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 28A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC
Disponibile: 1740
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 57A TO-247AC
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC
Disponibile: 2631
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
Disponibile: 1299
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC
Disponibile: 387
