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| Numero di parte | IRG7CH37K10EF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 15A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 15A |
| Potenza - Max | - |
| Cambiare energia | - |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 80nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 28ns/122ns |
| Condizione di test | 600V, 15A, 10 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT CHIP WAFER
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT CHIP WAFER
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Disponibile: 0
