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| Numero di parte | IRLI2910PBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 31A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3700pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 16A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB Full-Pak |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP
Disponibile: 1732
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 52A TO220FP
Disponibile: 1256
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
Disponibile: 0
