Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli IXEN60N120D1

IXYS IXEN60N120D1

Numero di parte
IXEN60N120D1
fabbricante
IXYS
Descrizione
IGBT NPT3 1200V 100A SOT-227B
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
IXYS

IXYS

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Numero di parte IXEN60N120D1
Stato parte Obsolete
Tipo IGBT NPT
Configurazione Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100A
Potenza - Max 445W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 60A
Corrente - Limite del collettore (max) 800µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 3.8nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227B
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Disponibile: 0

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