Numero di parte | IXFP12N50P |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1830pF @ 25V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 200W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 6A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 150V 102A TO-220
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 150V 110A TO-220
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 130A TO-220
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 130A TO-220
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
Disponibile: 50
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 14A TO-220AB
Disponibile: 55