Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IXFX120N30P3

IXYS IXFX120N30P3

Numero di parte
IXFX120N30P3
fabbricante
IXYS
Descrizione
MOSFET N-CH 300V 120A TO-247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
IXYS

IXYS

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In stock 140 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    6.75000/pcs
  • 10 pcs

    6.13800/pcs
  • 100 pcs

    5.21730/pcs
  • 500 pcs

    4.45005/pcs
Totale:6.75000/pcs Unit Price:
6.75000/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IXFX120N30P3
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8630pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 60A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PLUS247™-3
Pacchetto / caso TO-247-3
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