IXYS IXTP01N100D

Numero di parte: IXTP01N100D
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

IXYS

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In stock 6712 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
2.46500/pcs
10 pcs
2.20000/pcs
100 pcs
1.80400/pcs
500 pcs
1.46080/pcs
1,000 pcs
1.23200/pcs

Totale:2.46500/pcs

Unit Price:

2.46500/pcs

Etichetta del prezzo:

Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	IXTP01N100D
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	120pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max)	1.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 Ohm @ 50mA, 0V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3