Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli MMIX1F132N50P3

IXYS MMIX1F132N50P3

Numero di parte
MMIX1F132N50P3
fabbricante
IXYS
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 63A SMPD
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
IXYS

IXYS

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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte MMIX1F132N50P3
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 63A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 18600pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43 mOhm @ 66A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SMPD
Pacchetto / caso 24-PowerSMD, 21 Leads
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