Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF 1014-6A

Microsemi Corporation 1014-6A

Numero di parte
1014-6A
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRANS RF BIPO 19W 1A 55LV1
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 159 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

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  • 50 pcs

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Totale:84.43480/pcs Unit Price:
84.43480/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte 1014-6A
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequenza - Transizione 1GHz ~ 1.4GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) -
Guadagno 7dB ~ 7.5dB
Potenza - Max 19W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce -
Corrente - Collector (Ic) (Max) 1A
temperatura di esercizio 200°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso 55LV
Pacchetto dispositivo fornitore 55LV
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