provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Numero di parte | 1N5333B |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 3.3V |
| Tolleranza | ±5% |
| Potenza - Max | 5W |
| Impedenza (Max) (Zzt) | 3 Ohm |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 1V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1A |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | T-18, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | T-18 |
fabbricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC
Disponibile: 8000
fabbricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC
Disponibile: 8000
fabbricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC
Disponibile: 0
