Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Diodi - Raddrizzatori - Singoli 1N5809US

Microsemi Corporation 1N5809US

Numero di parte
1N5809US
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 937 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    5.64500/pcs

  • 10 pcs

    5.07950/pcs

  • 25 pcs

    4.62780/pcs

  • 100 pcs

    4.17640/pcs

  • 250 pcs

    3.83776/pcs

  • 500 pcs

    3.49913/pcs
Totale:5.64500/pcs Unit Price:
5.64500/pcs		 Etichetta del prezzo:
 Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte 1N5809US
Stato parte Active
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Corrente - Rettificato medio (Io) 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 875mV @ 4A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F 60pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SQ-MELF, B
Pacchetto dispositivo fornitore B, SQ-MELF
Temperatura operativa - Giunzione -65°C ~ 175°C
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