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| Numero di parte | APTDF30H1201G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Single Phase |
| Tecnologia | Standard |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 1200V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 43A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.1V @ 30A |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SP1 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6
Disponibile: 0
