Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli APTGF200DA120D3G

Microsemi Corporation APTGF200DA120D3G

Numero di parte
APTGF200DA120D3G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT 1200V 300A 1400W D3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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Numero di parte APTGF200DA120D3G
Stato parte Obsolete
Tipo IGBT NPT
Configurazione Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 300A
Potenza - Max 1400W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 200A
Corrente - Limite del collettore (max) 5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 13nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso D-3 Module
Pacchetto dispositivo fornitore D3
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