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| Numero di parte | APTGLQ75H65T1G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Full Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150A |
| Potenza - Max | 250W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 75A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 4.62nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | SP1 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT4 PHASE LEG 1200V 140A SP6
Disponibile: 5
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOD IGBT 1200V 140A SP6-P
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: POWER MOD IGBT4 PHASE LEG SP2
Disponibile: 10
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT ARRAY 1200V 230A 940W SP3
Disponibile: 50
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: POWER MOD IGBT4 3LVL INVERT SP6
Disponibile: 10
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT4 PHASE LEG 1200V 420A D3
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 420A 1500W D3
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 420A 1500W D3
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOD IGBT 1200V 65A SP1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOD IGBT 1200V 65A SP3
Disponibile: 0
