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| Numero di parte | JAN1N5804US |
|---|---|
| Stato parte | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 2.5A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 2.5A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SQ-MELF, A |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-5A |
| Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Disponibile: 0
