Numero di parte | JANTXV1N6622US |
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Stato parte | Discontinued at Digi-Key |
Tipo diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 660V |
Corrente - Rettificato medio (Io) | 1.2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 660V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, A |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-5A |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Disponibile: 87
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Disponibile: 100
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Disponibile: 39
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Disponibile: 36
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Disponibile: 4