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| Numero di parte | JANTXV1N6761UR-1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 380mV @ 100mA |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | 70pF @ 5V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Disponibile: 0
