Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF MS652S

Microsemi Corporation MS652S

Numero di parte
MS652S
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRANS RF BIPO 25W 2A M123
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 435 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    29.67120/pcs

  • 75 pcs

    29.67120/pcs
Totale:29.67120/pcsUnit Price:
29.67120/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteMS652S
Stato parteActive
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)16V
Frequenza - Transizione450MHz ~ 512MHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno10dB
Potenza - Max25W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce10 @ 200mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max)2A
temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoM123
Pacchetto dispositivo fornitoreM123
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