Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF MSC1350M

Microsemi Corporation MSC1350M

Numero di parte
MSC1350M
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRANS RF BIPO 720W 19.8A M218
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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In stock 95 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
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  • 25 pcs

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Totale:133.49620/pcs Unit Price:
133.49620/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte MSC1350M
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Frequenza - Transizione 1.025GHz ~ 1.15GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) -
Guadagno 7dB ~ 7.1dB
Potenza - Max 720W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 1A, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 19.8A
temperatura di esercizio 200°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso M218
Pacchetto dispositivo fornitore M218
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