Microsemi Corporation S200-50

Numero di parte: S200-50
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TRANS RF BIPO 110V 30A 55HX
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - Bipolari (BJT) - RF

Microsemi Corporation

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Parametro del prodotto

Numero di parte	S200-50
Stato parte	Active
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	110V
Frequenza - Transizione	1.5MHz ~ 30MHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)	-
Guadagno	12dB ~ 14.5dB
Potenza - Max	320W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	10 @ 1A, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	30A
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	55HX
Pacchetto dispositivo fornitore	55HX

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