Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Array PBSS5130PAP,115

Nexperia USA Inc. PBSS5130PAP,115

Numero di parte
PBSS5130PAP,115
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Descrizione
TRANS 2PNP 30V 1A 6HUSON
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
Nexperia

Nexperia

nexperia is a dedicated global leader in small signal discretes, logic and powermos devices. originally part of philips and more recently nxp, this new company became independent at the beginning of 2017.

In stock 135013 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.09881/pcs
  • 3,000 pcs

    0.09881/pcs
  • 6,000 pcs

    0.09243/pcs
  • 15,000 pcs

    0.08606/pcs
  • 30,000 pcs

    0.08160/pcs
Totale:0.09881/pcs Unit Price:
0.09881/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte PBSS5130PAP,115
Stato parte Active
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 280mV @ 50mA, 1A
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 170 @ 500mA, 2V
Potenza - Max 510mW
Frequenza - Transizione 125MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore DFN2020-6
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