Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli PSMN1R4-30YLDX

Nexperia USA Inc. PSMN1R4-30YLDX

Numero di parte
PSMN1R4-30YLDX
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Nexperia

Nexperia

nexperia is a dedicated global leader in small signal discretes, logic and powermos devices. originally part of philips and more recently nxp, this new company became independent at the beginning of 2017.

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Parametro del prodotto
Numero di parte PSMN1R4-30YLDX
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3840pF @ 15V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.42 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / caso SC-100, SOT-669
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