Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF BLS3135-10,114

NXP USA Inc. BLS3135-10,114

Numero di parte
BLS3135-10,114
fabbricante
NXP USA Inc.
Descrizione
TRANSISTOR RF POWER SOT445C
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Numero di parte BLS3135-10,114
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 75V
Frequenza - Transizione 3.5GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) -
Guadagno 9dB
Potenza - Max 34W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 250mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 1.5A
temperatura di esercizio 200°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-445C
Pacchetto dispositivo fornitore CDFM2
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