Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli BUK958R5-40E,127

NXP USA Inc. BUK958R5-40E,127

Numero di parte
BUK958R5-40E,127
fabbricante
NXP USA Inc.
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Numero di parte BUK958R5-40E,127
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.9nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 25V
Vgs (massimo) ±10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3
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fabbricante: NXP USA Inc.

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

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