Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli BUK9609-55A,118

NXP USA Inc. BUK9609-55A,118

Numero di parte
BUK9609-55A,118
fabbricante
NXP USA Inc.
Descrizione
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Numero di parte BUK9609-55A,118
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4633pF @ 25V
Vgs (massimo) ±15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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