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| Numero di parte | BUK9E1R9-40E,127 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Disponibile: 0
