Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF MBC13900T1

NXP USA Inc. MBC13900T1

Numero di parte
MBC13900T1
fabbricante
NXP USA Inc.
Descrizione
IC TRANS NPN RF LOW NOISE SC70-4
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Numero di parte MBC13900T1
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 6.5V
Frequenza - Transizione 15GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz
Guadagno 15dB ~ 22dB
Potenza - Max 188mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 2V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 20mA
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-82A, SOT-343
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-343
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