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| Numero di parte | PHB11N06LT,118 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.3A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±15V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 5.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
Disponibile: 0
