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| Numero di parte | PMF3800SN,115 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 260mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.85nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±15V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 560mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323-3 |
| Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323
Disponibile: 0
