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| Numero di parte | PMWD19UN,518 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1478pF @ 10V |
| Potenza - Max | 2.3W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP
Disponibile: 0
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP
Disponibile: 0
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Disponibile: 0
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP
Disponibile: 0
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
Disponibile: 0
